1. 기업 개요
DART 공시에 따르면 동사는 질화갈륨(GaN) 반도체를 전문으로 개발 및 생산하는 화합물 반도체 기업입니다. 무선 통신, 방위 산업, RF 에너지 분야에 공급하는 GaN 트랜지스터, GaN 전력증폭기, Microwave Generator를 핵심 제품으로 영위하고 있습니다.
동사의 가장 큰 경쟁력은 GaN 트랜지스터를 국내에서 유일하게 대량 생산할 수 있는 자체 설계·시험·제조 기술과 설비를 보유한 점입니다. 자체 생산된 GaN 트랜지스터는 직접 판매되거나 동사의 GaN 전력증폭기와 Microwave Generator 제작에 활용됩니다. 2025년 기준 GaN 전력증폭기 매출이 133.3억원으로 전체 제품 매출의 75% 이상을 차지하고 있으며, GaN 트랜지스터 매출은 43.9억원으로 전년 대비 126% 증가하였습니다.
2. 핵심 기술 및 사업 경쟁력
GaN 반도체의 우수한 효율성이 동사의 첫 번째 강점입니다. GaN 전력증폭기는 기존 실리콘 기반 LDMOS 전력증폭기 대비 효율이 10% 높으며, 제품 크기는 최대 절반으로 축소되고 전력 사용량은 20% 절감됩니다. 이러한 특성으로 무선 통신 기지국 장비, 레이더, 전자전 장비, 반도체 공정장비, 수소생성, 의료장비, 가속기 등 첨단 산업 전반에서 수요가 급증하고 있습니다.
Form Factor 제품 개발이 동사의 두 번째 강점입니다. 동사는 높은 이득 특성을 확보하기 위한 회로와 GaN 트랜지스터를 통신용 GaN 전력증폭기로 일체화한 Form Factor 제품을 개발하였으며, 기존 기지국 장비 업체뿐 아니라 Open-RAN(O-RAN) 시장에 진입하는 통신 사업자들로부터 주목받고 있습니다. 30% 이상 소형화된 크기에서 높은 출력을 구현할 수 있어 다양한 공급처 확보의 새로운 기회가 될 것으로 예상됩니다.